摘要:提高太阳电池光电转换效率、降低光伏发电成本已成为全球光伏领域的研究热点。 由于n型晶体Si具有体少子寿命长、光致衰减小等优点，非常适于制作低成本高效率太阳电池，近年来高效率n型Si太阳电池引起了人们广泛的关注。文章在论述n型Si特性的基础上，介绍了IBC结构、PERT结构、HIT结构、PERL结构和常规电池结构n晶体Si太阳电池的研究进展及产业化水平，给出了n型Si电池今后的研究方向。

摘要:Zn1?xMgxO透过率高，带隙可调，且与 CIGS 太阳电池在晶格和能带结构上匹配良好，可用作 CIGS 太阳电池缓冲层、窗口层，因此制备高质量的Zn1?xMgxO薄膜是提高太阳电池性能的关键。本文介绍 了Zn1?xMgxO薄膜的结构特性、光学特性及制备方法；从 Mg 含量、Zn1?xMgxO膜厚及Zn1?xMgxO/CIGS 界 面处缺陷密度等方面概述了Zn1?xMgxO用于 CIGS 太阳电池的研究进展，并比较了Zn1?xMgxO与In2S3，ZnS， CdS 等其他材料作缓冲层的 CIGS 太阳电池性能的差别。

摘要:超辐射发光二极管（SLD）是一种宽光谱光源，广泛用于光纤陀螺、光学相干断层扫描等领域。高性能SLD要求同时实现大功率和宽光谱输出，航天领域相关应用还要求其具有较高的抗辐射性能。本文从如何实现大功率、宽光谱输出和抗辐射加固等几方面介绍了SLD的研究进展，并对其未来的研究方向进行了展望。

摘要:基于0.35μm工艺，设计了应用于低光照环境下的低噪声、高灵敏度CMOS图像传感器。该图像传感器采用PPD 4T像素结构，像素阵列512×512，包含列级运放、水平移位寄存器、逻辑控制单元、单斜率模数转换器和偏置电路等模块。通过采用低噪声PPD 4T像素结构、低噪声列级放大器电路结构，以及对版图的优化设计等措施实现了低噪声、高灵敏度的CMOS图像传感器设计。

摘要:采用蓝色荧光材料1p-TDPVBi结合绿色磷光材料2Ir(ppy)3掺杂到母体材料CBP作为绿光发光层，并且采用3BPhen作为电子传输层和激子阻挡层制备结构为ITO/m-MTDATA(50nm)/ NPB(10nm)/p-TDPVBi(dnm)/CBP∶Ir(ppy)38% 7nm/BPhen(60nm)/LiF(1nm)/Al的有机发光器件。实验结果表明：通过改变蓝光发光层p TDPVBi的厚度，得到了高效率的有机发光器件，当p-TDPVBi厚度为5nm时，器件的电流效率和功率效率在4V时达到32.3cd/A和25.3lm/W，亮度在11V时达到31020cd/m2。研究了p-TDPVBi厚度由3nm变化到9nm，OLED器件的电流密度 电压特性曲线、亮度-电压曲线及电流效率 电压和功率效率-电压等光电性能的变化。

摘要:以正六棱锥型图形化蓝宝石衬底GaN基LED为研究对象，设计并探讨了正六棱锥图案在排布过程中旋转角的变化对LED出光效率的影响，得出各面光通量随旋转角变化的规律：在0°~30°范围，随着旋转角的增大，总光通量与顶部光通量有下降趋势，底部光通量有增长趋势。当六棱锥旋转角在0°~6°范围内时，LED芯片的总光通量和顶部光通量均有最优值。综合考虑，旋转角为0°~6°的六棱锥型图形衬底对正装LED的出光效率有最佳的优化效果。

摘要:对硅基PIN光电探测器器件模型进行了理论分析，讨论了硅基PIN光电探测器的I-V特性与器件的i层厚度和整体宽度的变化关系，并进行了仿真分析。实验结果表明，随着i层厚度从5μm增加到70μm，器件的正向电流逐步减小，且i层厚度与其正向电流成反比；随着器件宽度从50μm增加到90μm，器件的正向电流逐步增大，且器件宽度与其正向电流成正比；引入保护环结构可以明显降低器件的暗电流。对PIN器件的结构参数进行了优化设计，结果表明在所设置的器件工艺条件下，当器件的i层厚度为50μm、整体宽度为70μm时，器件的性能最佳。

摘要:采用聚焦离子束制备了500nm和1.5μm周期两种结构, 使GaN基LED光效显著提高。比较长、短周期光子晶体提高光效的程度、制备工艺、设备及其相应的成本，宜采用长周期光子晶体结构来提高蓝光GaN基LED的发光效率。采用聚焦离子束和激光干涉两种方法，在GaN基LED导电层（ITO）上制备了长周期光子晶体，利用光纤光谱仪、显微镜和功率计对光提取效率进行了实验测试，结果表明长周期光子晶体LED比无光子晶体LED的光提取效率提高了90%以上。还采用激光干涉直写方法，以扫描的方式在较大面积上制备了光子晶体LED, 确认了该方法及工艺批量化、低成本制备光子晶体的可行性。聚焦离子束方法虽然能够产生较精确的光子晶体图形，但由于耗时长、效率低、成本高等问题，仅适于在实验研究中选择和优化光子晶体的结构和参数。

摘要:针对高压隔离光电耦合器的隔离电压提高到22kV后信号传输特性恶化的问题，提出了在光源和探测器间引入导光管结构的方法，利用导光管的聚光特性弥补间距增大导致的探测器对光源发散角的降低，使探测器接收到足够的光功率，以保证器件的信号传输特性满足要求。对探测器接收光功率占光源光功率的比例进行了对比计算，结果表明，使用导光管的22kV高压隔离光电耦合器可获得与10kV产品相当的信号传输特性，通过样品的制作与测试验证了该计算结果，表明上述方法可行。

摘要:有机光控晶体管因其低成本、易加工等特点而受到广泛的关注。通过溶剂氛围滴膜法制备了基于6,13 二氯并五苯的微纳米带。采用氯苯做溶剂时，得到了形貌规则、晶形良好的微纳米带，而采用邻二氯苯做溶剂时，获得了大面积有序、定向生长的微纳米带。随后构筑了基于上述微纳结构的单根和多根微纳米带有机光控晶体管，器件显示了高的光敏特性。在很低强度的入射光（1.55mW/cm2）照射下，其光敏系数达1300，表明6,13 二氯并五苯在有机微纳光控晶体管方面具有很好的应用前景。

摘要:拉曼光谱检测常常受到荧光的干扰，影响了该技术的推广应用。移频激发差分拉曼光谱方法（SERDS方法）已被证明是一种有效的荧光抑制方法。SERDS实现荧光抑制的关键在于其特殊的激光光源，不仅要求其输出多个相近的波长，而且要求输出的激光功率较高、光谱线宽窄。采用Littrow光栅外腔半导体激光器原理设计实现了一种低成本、便携式的激光光源，可以在15nm的调谐范围内输出多个波长，光谱线宽小于0.2nm，输出功率可达80mW，适合用作移频激发差分拉曼光谱方法的多波长光源，实现拉曼光谱检测中对荧光干扰的抑制。

摘要:基于模式耦合理论和传输矩阵法，使用三层结构圆光波导模型对长周期光纤光栅（LPFG）包层模（HE14）的响应特性进行仿真和分析。通过对比分析外部环境折射率呈梯度分布时与呈均匀分布时的LPFG透射谱，发现谱线中除了损耗峰发生漂移以外，主峰左侧旁瓣深度增加，主峰右侧旁瓣深度减小，且随外部环境折射率的升高，这种变化趋势愈加明显，分析了透射谱发生相应变化的原因。研究结果对使用LPFG进行折射率梯度传感设计具有一定意义。

摘要:推导出了有机二极管交流阻抗谱的公式，当迁移率为常数时的计算结果与文献中的解析公式相符合，表明推出的公式和编写的程序是正确的。进一步根据文献中与温度、载流子浓度和电场强度有关的通用迁移率模型，计算了NRS PPV有机二极管的交流阻抗谱。结果表明阻抗的实部总是取正值，虚部总是取负值。阻抗的实部和虚部的绝对值在低频极限下的数值都是随温度和直流偏压增大而减小。实部总是频率的单调减函数，且减小的速率随温度和直流偏压增大而变慢；虚部绝对值在低温下是频率的单调减函数，在高温下将出现极大值，极值的峰高随温度和直流偏压增大而减小，极值位置相应地出现蓝移。

摘要:亚波长周期结构光栅具有传统光栅所不具有的特殊特性。基于矢量衍射理论 耦合波分析法对矩形亚波长光栅的衍射效率进行了理论计算，针对光通信中的1550nm波长设计了一种基于SOI 衬底的亚波长偏振光栅，分析了光栅周期、光栅深度、占空比和光栅结构的变化对其偏振特性的影响。仿真结果表明，当光栅的周期为960nm，槽深为230nm，占空比为24%时，可使TM 模式的透射率大于95%，TE 模式的透射率小于5%，且矩形的光栅结构相对于三角形和圆形的光栅结构具有更好的偏振性能，可有效用于光开关、光隔离器、激光器、光探测器等半导体光电子器件。

摘要:高速光探测器是高速光纤通信系统和网络中的关键器件，它要求光探测器具有宽的频率响应带宽和高量子效率。垂直入光型pin光探测器的高速性能和量子效率均受到吸收层厚度的限制。为了改善其高速性能，采用InGaAsP材料作为吸收层以及限制层渐变掺杂的方法，对垂直入光型pin光探测器的高速响应性能进行了理论研究和仿真，结果表明，高速响应达到了40GHz。与不采用渐变掺杂浓度的同种结构光探测器相比，高速响应性能显著提高。

摘要:针对目前常见光二分路器规格构成体系存在的问题，设计构建了两种不同规格参数的新型光二分路器规格构成体系与规格表。详细介绍了两种规格体系与规格表的设计思路、构建原理、规格参数值间的关系、确定规格参数值的方法和依据。通过实例介绍了两种规格体系和规格表的应用方法，对两种规格体系与规格表的异同点进行了分析和对比。应用表明，在一定条件下，无论采用哪种规格体系和规格表，均能选择到满足实际应用要求的、合适规格型号的光二分路器。但在选择规格型号时，使用以两路光纤长度差值为规格参数的规格体系与规格表，比使用以分光比为参数的规格体系和规格表，其方法要简单容易得多。

摘要:以高介电常数介质为基底，利用辐射贴片开槽和微带馈电技术，设计了一款尺寸仅为16mm×12.45mm的小型微带天线。通过在此天线微带贴片周围加载高阻抗表面型光子晶体，有效抑制了表面波，改善了以高介电常数介质为基底的贴片天线的性能，实现了一款多频小型化PBG天线。HFSS仿真结果表明，加载高阻抗表面结构后的微带天线出现了三个谐振频点，分别为2.74、2.86和3.80GHz，其对应的增益分别达到6.02、8.38和5.69dB。所设计的光子晶体天线物理尺寸较小，方向性良好且具有多频特性，因此可为实际通信天线的应用提供参考。

摘要:通过分析加入不同交联剂质量分数的PVP绝缘膜MIS结构的电学特性，研究了交联剂质量对PVP薄膜电学特性的影响。交联剂PMF和PVP均溶于PGMEA，PVP绝缘膜通过溶液旋涂法由交联剂质量分数分别为1%、3%、5%、7%的四种溶液制成，四种溶液PVP的质量分数均为5%。对C-V特性、V-t特性和I-V特性的分析表明，在PVP质量分数为5%的溶液中，加入质量分数为5%的交联剂，退火之后形成的PVP绝缘膜陷阱密度最低，漏电流最小，仅为2.9×10^-8A/cm²。通过对J-V特性曲线的线性拟合发现，PVP绝缘膜在低电场情况下漏电机理为P-F效应，在高电场情况下PVP绝缘膜漏电机理存在由肖特基发射至空间电荷限制电流效应的转化。

摘要:提出在LED多芯片平面封装表面添加微透镜阵列，以提高取光效率。仿真分析了微透镜阵列的半径、间距和排列方式等对取光效率的影响。分析结果表明，通过在封装平面添加微透镜阵列，可以极大地提高取光效率，微透镜的填充因子是影响取光效率大小的关键因素，填充因子越大，则其取光效率越高;微透镜的排列方式对出射光强的分布也会产生影响。

摘要:通过磁控溅射Al掺杂的ZnO陶瓷靶，在p-Si片上沉积n型电导的ZnO薄膜而制备了ZnO/p-Si异质结，并通过测试其光照下的I-V、C-V特性对其光电特性以及载流子输运特性与导电机理进行了研究。研究表明ZnO/p-Si异质结存在良好的整流特性与光电响应，可以广泛应用在光电探测和太阳电池等领域。由于在ZnO/p-Si异质结界面处的导带补偿与价带补偿相差太大的缘故，在正向电压超过1V时，导电机理为空间电荷限制电流导电。同时，研究表明ZnO/p-Si异质结界面存在大量界面态，可以通过减小界面态进一步提高其光电特性。

摘要:假设超晶格锯齿形沟道对粒子的作用等效为形状相似的周期场作用，在经典力学框架内和小振幅近似下，利用正弦平方势，把粒子运动方程化为了具有双频激励的Duffing方程。由于三阶非线性，系统出现了主共振、次共振和组合共振等。用摄动法分析了系统的倍频共振，并讨论了系统的稳定性和临界条件。结果表明，当非线性强度小于临界强度时系统是稳定的。

摘要:用等离子体增强化学气相淀积制备了Ge掺杂SiO₂薄膜，并对薄膜进行了不同温度的退火处理。采用棱镜耦合仪、原子力显微镜和傅里叶变换红外光谱分析技术研究了不同退火温度对Ge掺杂SiO₂薄膜性质的影响。通过1100℃退火处理后，正的折射率变化量和负的体积变化量随着GeH4流量增加而增大，Ge-O-Ge键增多；而通过900℃退火处理后，折射率没有随着GeH₄流量增加而增大；薄膜的表面粗糙度随着退火温度升高而降低。研究结果表明，SiO₂薄膜中Ge掺杂过量，其折射率反常下降；通过1100℃退火处理后，折射率随着GeH4流量增加而增大，折射率的增大主要是由于薄膜密实化和Ge-O-Ge键的形成。

摘要:假设量子阱是类W-势阱，应变效应表现为势阱底部出现了类抛物线鼓包。在量子力学框架下，讨论了应变效应对输出波长的影响。结果表明，在应变作用下，量子阱出现了能级分裂，正是这种分裂为高性能量子阱光学器件的研制提供了更大的设计空间，为量子阱激光器件输出波长的调节提供了理论基础。

摘要:用熔融淬冷法制备了系列不同组分和Yb³⁺/Tm³⁺掺杂浓度的Ge-Ga-Se-CsI硫卤玻璃样品，测试了样品的拉曼光谱、折射率、吸收光谱、红外荧光光谱。研究了975nm激光泵浦下样品的1.23μm和1.8μm荧光特性。分析了Yb³⁺/Tm³⁺之间声子辅助的共振能量转移，结果表明两个离子间有效的能量转移途径为Yb³⁺∶²F_5/2→Tm³⁺∶³H₅。计算得到常温下Tm³⁺∶³H₅→³F₄和Tm³⁺∶³F₄→3H₆跃迁的多声子弛豫速率分别为303s^-1和0.30s^-1。

摘要:以Al(NO₃)₃·9H₂O、Y(NO₃)₃·6H₂O 和 Nd(NO₃)₃·6H₂O为原材料，丙烯酰胺和N′N-亚甲基双丙烯酰胺为单体和网络剂，采用高分子网络凝胶法制备了Nd∶YAG纳米粉体。分别用热重 差热分析、Ｘ射线衍射、扫描电子显微镜、透射电子显微镜和荧光分光光度计对所得样品进行表征。结果表明，钇铝石榴石晶相的形成温度为880℃，粉体呈珊瑚虫状，粒径随着温度的升高而增大。Nd∶YAG纳米粉在401nm处有强烈的发光峰，可以作为紫光光源的考虑对象；另外在研究中还发现了Nd³⁺在YAG中的浓度猝灭现象。

摘要:采用多极法理论研究了光子晶体光纤的非线性和色散特性。数值模拟结果表明：保持孔直径与孔间距比值d/Λ不变，减小孔直径d；或者保持孔直径d不变，增大d/Λ，这两种方法都不仅可以显著提高光子晶体光纤的非线性，而且能够有效地将其零色散点λ0向短波长方向移动。光子晶体光纤的高非线性和灵活可调的色散特性为产生宽带、可见的超连续谱提供了前提条件。

摘要:研究了AZO（ZnO∶Al）替代ITO透明导电膜在GaN基LED中的应用，通过脉冲激光沉积和磁控溅射法制作了AZO薄膜，分析了AZO与ｐ型GaN不良的欧姆接触的物理机理，并利用插入ITO薄层来改善接触电阻，实验用ITO 20nm/AZO 500 nm 的复合导电薄膜做透明导电薄膜，成功得到了波长为525.74nm、亮度为380.88 mcd、电压为335 V 的GaN基绿光LED芯片，相当于单一ITO透明导电膜的性能，整个试验工艺中减少了ITO的使用量，降低了LED芯片的制造成本。

摘要:针对目前声表面波器件用粘接剂固化时间长、小尺寸（面积小于10mm²），芯片剪切强度低的问题，测试分析了988粘片胶热稳定性、材料放气和胶成分；研究了在不同的固化工艺条件下，988胶粘片胶对声表面波器件的小尺寸芯片剪切强度和声表面波滤波器带外抑制的影响。测试和研究结果表明，采用988粘片胶能够缩短固化周期，满足国军标规定的芯片剪切强度的要求，同时能使滤波器性能得到提升。

摘要:基于平衡不完全区组设计（BIBD），深入分析与研究了准循环低密度奇偶校验（QC-LDPC）码的一种新颖构造方法，并通过该构造方法构造了3种同码率不同码长的QC-LDPC码，通过对这3种QC-LDPC码的仿真分析表明，同码率下，码长越长性能越好。同时在BER＝10^-6时码率均为93.7% 的情况下，所构造的BIBD-QC-LDPC（53925056）码的净编码增益（NCG）比已广泛应用于光通信系统中的经典RS（255,239）码和ITU-T G．975．1中的LDPC（32640,30592）码分别提高了约213dB和141dB。因而其纠错性能更强，更适用于高速长距离光通信系统。该新颖构造方法简单灵活且编译码更容易实现。

摘要:通过理论分析和数值仿真，搭建了100Gbit/s的PDM（偏振复用）－CO－OFDM（相干光正交频分复用）系统，并使用OPC（光学相位共轭）技术对100Gbit/s的PDM－CO－OFDM系统的传输性能进行了补偿。研究表明，相位共轭技术不仅能够补偿系统的各阶色散，还能补偿非线性效应，使用OPC技术能使系统的传输距离达到1200 km，在最佳补偿距离上，使用OPC的系统Q值比使用传统的DCF（色散补偿光纤）的系统Q值大6.3 dB。

摘要:WDM-PON作为下一代PON技术，能充分利用光纤丰富的带宽资源来满足不断增加的高带宽网络应用业务的需求。文章在简要介绍WDM-PON工作原理的基础上，重点分析了基于反射式半导体光放大器（RSOA）再调制技术的WDM-PON系统结构，并利用光通信仿真软件Optisystem对该系统进行仿真，验证了该系统的可靠性。最后提出了WDM-PON的应用前景。

摘要:强激光在非均匀光程中传输时，大气路径中分子的吸收系数不再是常数，利用内插法得出了中纬度夏季模式的分子吸收系数随海拔高度的变化规律。强激光传输会同时受到大气湍流效应和热晕效应的共同影响，这严重影响了强激光传输的效能，而采用多束强激光传输方法可以减小这些效应的影响。根据波动光学理论，建立了三束脉冲激光在湍流和热晕相互作用下的数学模型。数值结果表明：该方法对光强起伏、光斑分裂和光束扩展等现象有较好的校正效果。

摘要:微波光电振荡器是一种基于微波光子技术的高频微波信号发生装置，它能够产生超高频谱纯度及超低相位噪声的微波信号。研究了典型的微波光电振荡器相位噪声产生机理及相位噪声谱密度。从构成微波光电振荡器的核心器件出发，分析了开环状态下，微波光电振荡器中的加性噪声来源及其对相位噪声的影响。

摘要:提出了一种基于双偏光干涉滤波器的激光波长测量方法，该方法克服了传统偏光干涉装置测量波长时分辨率存在盲区的缺点，通过把粗测和精测两个子系统结合可解决测量的周期性问题。实验结果表明，采用长度为1cm的YVO₄晶体作为滤波器，可实现误差小于0.01nm的测量。与基于迈克尔逊干涉仪的波长测量方法相比，所提出的方法无需机械运动部件和参考光源，测量精度满足DWDM光纤通信系统测试的要求。

摘要:高精度光刻物镜中的光学透镜在自身重力以及装夹预紧力的作用下，面形会发生变化，从而会对光学系统各种像差造成影响。在考虑透镜自重的情况下，研究了镜片夹紧方式及夹紧力对其像差的影响规律。分别在镜片顶面和侧面施加2～6点均布、均匀载荷，且每种加载情况下夹紧力线性增大，通过有限元仿真计算出各种受力情况下的镜面变形；将变形量数据用66项标准Zernike多项式进行拟合，分析载荷均布点数以及载荷力大小对透镜像差的影响。分析结果表明：各种加载工况下透镜像差中的重要影响项皆为平移、离焦、球差和n－foil(n为均布载荷点数）；重要影响项所对应Zernike多项式的系数变化与夹紧力变化呈线性关系。分析结果为补偿透镜像差提供了依据，并能指导像差校正的透镜设计。

摘要:为了提高激光告警系统对激光照射角度的探测精度，提出了一种新的探测方法。该方法用柱透镜将激光汇聚成线光斑后再用二元光电探测器接收。二元光电探测器的两个光敏元设计成外形完全相同的直角梯形并拼接成矩形，当线光斑照射在矩形光敏区域内时，两光敏元分别接收到不等的光强，根据两输出信号差异计算激光照射方位。试验结果表明，这种方法能够较为准确地探测激光照射方位，设计的测试系统对激光入射角度的探测误差小于±0.21°，优于传统的非成像通道识别技术。

摘要:提出了一种基于模块化的LabView的光信号检测方法。基于该方法的实验系统由信号采集和数据处理两大部分组成。信号采集部分通过光电二极管将光强信号转换为电信号，利用放大器（AD620）、数模转换器（ADC0809）、单片机（AT89S51）、电平转换器（MAX232）和计算机（PC）完成对光信号的采集。数据处理部分主要利用LabView软件通过计算机的9针串口从信号采集部分获取数据，并对该数据进行进一步处理，最后输出光信号强度随时间变化的曲线。提出的设计方案充分利用了计算机强大的数据处理能力，不仅最大程度地实现了光信号的自动检测，而且简化了信号检测硬件系统的设计，提升了系统的功能。

摘要:为研究槽缝型缺陷参考平面对高速信号的影响，主要基于场路混合仿真，使用三维全波方法提取槽缝缺陷参考平面参数，并结合电路仿真，分别对单端微带线与耦合微带线跨越不连续参考平面的影响进行分析，讨论了这些影响是如何作用于高速数字系统的时序与噪声，并引入眼图予以说明。仿真结果表明开槽长度与宽度都会增大信号回路电感，信号上升沿时间会随着返回路径的增加而退化，从而引起高速数字系统时序抖动，耦合微带线间的串扰随返回路径增加而急剧增加，在抖动与噪声的共同作用下，会对系统数据接收到的信号产生破坏性作用，在高速ＰＣＢ设计中应遵从使返回路径最小的原则，避免共同的信号返回路径是关键。由此总结出降低不完整参考平面高速互连线间耦合及串扰的设计规则。

摘要:为了解决在周界安防系统中基于FBG振动传感器波分复用方式下传感单元数量受光源带宽和解调限制的问题，同时也为了延长周界安防距离、降低系统成本、提高系统效率，提出了“全同光纤布喇格光栅（FBG）振动传感器”的概念，论述了全同FBG振动传感器在周界安防系统中应用的可行性，设计了实验方案，搭建了试验装置并给出了实验结果。实验证明，两个波长基本相同的全同FBG振动传感器接入后的波长灵敏度会有不同程度的损失，实验中6种组合12种连接方式波长灵敏度大于20 pm的有10种，实践证明，经过筛选可以达到实际应用的要求，全同FBG振动传感器在周界系统的应用不但可以提高系统的容量，而且使FBG周界系统的成本大大降低，更具市场竞争力。

摘要:针对跟踪激光雷达对回波信号峰值幅度的需求，分别采用电压型及跨导型峰值保持电路实现窄脉冲信号峰值保持，并测试了不同跨导放大器的保持效果，最终解决了激光雷达回波信号峰值保持的快速以及幅度问题。实验结果表明：采用跨导型峰值保持电路，同时利用双倍缓冲保持方法扩大保持电压峰值范围，可以实现回波信号的峰值提取。该方法采用跨导放大器实现对窄脉冲信号峰值保持的快速性，并利用双倍缓冲器提高驱动能力以及最大可保持峰值。对上升沿约为6ns的脉冲信号，可保持峰值最高达到2.5V、响应时间小于2ns。

摘要:为了获得高功率、窄脉冲探测激光，提出了一种基于雪崩效应的小型半导体激光激励源电路实现方案，分析了激励电路产生高压窄脉冲信号的原理，介绍了其组成单元信号整形电路、直流偏置电路和高压脉冲产生电路的硬件设计。测试表明，该电路能够输出电压约460V、脉宽小于60ns、下降沿约25ns的脉冲激励信号，印证了原理设计的正确性。该电路具有高性能、小体积、高可靠和易适装的应用特点，能够有效满足某激光引信对激光激励电路的任务要求。

摘要:根据大空间自然对流水平圆管上部上升的羽状烟柱区不符合边界层假设而导致各种解之间差异的问题，提出了利用横向大剪切量干涉实验装置来实现温度场的光学测量，得到了自然对流水平圆管在不同壁温时的实时条纹。利用彩色条纹图像中RGB原始数据中的R分量的峰、谷极值点的坐标来识别明、暗条纹并得到了全场的级数分布，以此反演出全场温度分布。实验结果表明：当圆管直径d为156 mm、剪切量s为242mm时，实验得到的干涉条纹类似于利用全息干涉或马赫－曾得干涉原理得到的无限宽简单条纹；干涉条纹分辨率达到7564 pix/mm；利用横向大剪切量干涉法能够准确快速地反演全场温度分布，为工程热物理分析提供相关数据。

摘要:在分析四象限位置敏感器件（4Q-PSD）结构及特点的基础上，利用该器件作为核心探测器，设计了一种光电探测系统，对高分辨率横向位移的探测进行了研究。系统主要包括LED光发射、光接收、信号处理和显示等部分。LED发射的光束经聚焦透镜汇聚后射向反射镜，反射光聚焦到一个4Q-PSD上，经线性化的信号处理电路处理后，可实现高分辨率横向位移的测量。实验证明：横向位移测量稳定性与精度与测量距离无关，系统的误差主要来自反射镜反射的非均匀性。