一种基于双钳位技术的宽范围高精度电流匹配的电荷泵设计
DOI:
CSTR:
作者:
作者单位:

大连理工大学 集成电路学院

作者简介:

通讯作者:

中图分类号:

基金项目:

国家自然科学基金青年科学项目(62304030).


Design of charge pump with wide range and high precision current matching based on double-clamp technology
Author:
Affiliation:

School of Integrated Circuits,Dalian University of Technology

Fund Project:

  • 摘要
  • |
  • 图/表
  • |
  • 访问统计
  • |
  • 参考文献
  • |
  • 相似文献
  • |
  • 引证文献
  • |
  • 资源附件
  • |
  • 文章评论
    摘要:

    基于TSMC 65nm CMOS工艺,本文设计了一款基于双钳位计数实现在宽电压范围下满足高精度电流匹配电荷泵电路,双钳位技术可以避免使用轨对轨运放所带来的电路结构复杂化的问题。并且通过增加调节开关管和互补开关计数,有效地优化了电荷共享、时钟馈通以及电荷注入等非理性效应对电路的影响,仿真结果表明,与传统电荷泵电路相比,在电源电压1.2V,电荷泵电流为50uA时,双钳位电荷泵电路的电流匹配度在0.2~1.0V范围内可以保持在0.03%以内。

    Abstract:

    Based on TSMC 65nm CMOS technology, this paper designs a double-clamp counting circuit to meet the high precision current matching charge pump circuit in a wide voltage range. The double-clamp technology can avoid the complicated circuit structure caused by rail-to-rail operation amplifier. Moreover, the influence of non-rational effects such as charge sharing, clock feedthrough and charge injection on the circuit is effectively optimized by adding the count of the regulating switch tube and the complementary switch. The simulation results show that, compared with the traditional charge pump circuit, when the power supply voltage is 1.2V and the charge pump current is 50uA, the power supply voltage is 1.2V. The current matching degree of the double-clamp charge pump circuit can be maintained within 0.03% in the range of 0.2~1.0V.

    参考文献
    相似文献
    引证文献
引用本文
分享
文章指标
  • 点击次数:
  • 下载次数:
  • HTML阅读次数:
  • 引用次数:
历史
  • 收稿日期:2024-03-26
  • 最后修改日期:2024-03-26
  • 录用日期:2024-04-22
  • 在线发布日期:
  • 出版日期:
文章二维码

漂浮通知

①《半导体光电》新近入编《中文核心期刊要目总览》2023年版(即第10版),这是本刊自1992年以来连续第10次被《中文核心期刊要目总览》收录。
②目前,《半导体光电》已入编四个最新版高质量科技期刊分级目录,它们分别是中国电子学会《电子技术、通信技术领域高质量科技期刊分级目录》(T3)、中国图象图形学学会《图像图形领域高质量科技期刊分级目录》(T3)、中国电工技术学会《电气工程领域高质量科技期刊分级目录》(T3)和中国照明学会《照明领域高质量科技期刊分级目录》(T2)。
③关于用户登录弱密码必须强制调整的说明
④《半导体光电》微信公众号“半导体光电期刊”已开通,欢迎关注