多分辨率高速线列CMOS图像传感器设计
CSTR:
作者:
作者单位:

(1. 中国科学院上海技术物理研究所 中国科学院红外成像材料与器件重点实验室, 上海 200083;2. 南通智能感知研究院, 江苏 南通 226009)

作者简介:

通讯作者:

中图分类号:

TN386.1

基金项目:

科技部重点研发资助项目(2019YFB2204100).*通信作者:陈世军 E-mail:csj1967@163.com


Design of a Multiple Resolution and High Speed Linear CMOS Image Sensor
Author:
Affiliation:

(1. Key Lab. of Infrared Imaging Materials and Detectors, Shanghai Institute of Technical Physics of The Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200083, CHN;2. Nantong Academy of Intelligent Sensing, Nantong 226009, CHN)

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    摘要:

    设计并验证了一款可选分辨率、高速1024线列CMOS图像传感器。为了优化列总线读出速率,芯片采用总线分割技术以减小总线寄生电容,有效提升了信号读出速率。传感器具有4种可选择分辨率功能,使其具有更高的帧频。设计的芯片采用0.5μm标准CMOS工艺成功流片,验证了设计的正确性。测试结果表明:满阱容量为4.76Me-/像素,动态范围为75dB;在128分辨率下,帧频能达到36000frames/s。

    Abstract:

    A 1024 linear CMOS image sensor (CIS) with programmable resolution and high speed was presented and verified. In order to optimize the column bus readout rate, this sensor adopted column bus segmentation technology, which effectively reduced the parasitic capacitance on the bus and increased the signal readout rate. The sensor featured 4 kind of programmable resolution for higher frame rate. In this paper, the chip was successfully manufactured by 0.5μm CMOS process, and the photoelectric response of the device was tested and evaluated. The results show that the sensor's full well charge is 4.76Me-/pixel, and dynamic range is 75dB. At 128 resolution, frame rate reaches 36000frames/s.

    参考文献
    相似文献
    引证文献
引用本文

陈世军,李梧萤,王欣,解宁.多分辨率高速线列CMOS图像传感器设计[J].半导体光电,2023,44(2):168-171. CHEN Shijun, LI Wuying, WANG Xin, XIE Ning. Design of a Multiple Resolution and High Speed Linear CMOS Image Sensor[J].,2023,44(2):168-171.

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  • 收稿日期:2022-11-30
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  • 在线发布日期: 2023-06-02
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