硅基集成光子器件先进设计方法
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作者:
作者单位:

(华中科技大学 武汉光电国家研究中心, 武汉 430074)

作者简介:

郜定山(1975-),男,博士,教授,博士生导师,主要从事硅基集成光电子学、纳米光学研究,曾在法国巴黎南大学做高级访问学者,已在Optica,Physical Review Letters等期刊上发表学术论文80余篇;担任中法PHOTONET光电子国际合作联合研究网络中方联络人;

通讯作者:

中图分类号:

TN256

基金项目:

国家重点研发计划项目(2019YFB2205202);国家自然科学基金面上项目(61975062).通信作者:郜定山E-mail:dsgao@hust.edu.cn


Advanced Designing Methods of Silicon Integrated Optical Devices
Author:
Affiliation:

(Wuhan National Laboratory for Optoelectronics, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan 430074, CHN)

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    摘要:

    硅基集成光子器件具有体积小、集成度高的突出优势,在光通信、数据中心光互连等领域具有广阔应用前景。然而,硅基波导耦合器件尺寸相对较大、工作带宽和工艺容差受限。硅基多模路由光子器件设计还面临挑战。文章介绍了近年来发展起来的两种硅基集成光子器件先进设计方法:绝热捷径法和变换光学方法,简要阐述其物理原理,并展示在硅基集成光子器件设计中的典型应用。

    Abstract:

    Silicon based integrated optical devices have the outstanding advantages of small footprint and high integration level. They have broad application prospects in the fields of optical communication, data center optical interconnection and so on. However, the size of silicon-based waveguide coupler is relatively large, and the working bandwidth and process tolerance are limited. The design of silicon-based multimode routing photonic devices still faces big challenges. In this paper, two advanced design methods are introduced for silicon-based integrated optical devices developed in recent years:shortcuts to adiabaticity method and transformation optics method, their physical principles are briefly expounded, and typical applications in the design of silicon-based integrated optical devices are presented.

    参考文献
    相似文献
    引证文献
引用本文

郜定山,李书轶,蔡丽峰.硅基集成光子器件先进设计方法[J].半导体光电,2022,43(2):201-206. GAO Dingshan, LI Shuyi, CAI Lifeng. Advanced Designing Methods of Silicon Integrated Optical Devices[J].,2022,43(2):201-206.

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  • 收稿日期:2022-04-11
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