GaAs材料非平衡热电子的瞬态输运及其光电导特性
CSTR:
作者:
作者单位:

(渭南师范学院 物理与电气工程学院, 陕西 渭南 714099)

作者简介:

通讯作者:

中图分类号:

TN256

基金项目:

陕西省军民融合研究规划项目(16JMR06);陕西省教育厅科研计划项目(16JK1277);渭南师范学院科研计划项目(2018JYKX003).


Characteristics of The Photoconductivity and Transient Transport on Non-equilibrium Hot-electron in GaAs Materials
Author:
Affiliation:

(School of Physics and Electrical Engineering, Weinan Teachers University, Weinan 714099, CHN)

Fund Project:

  • 摘要
  • |
  • 图/表
  • |
  • 访问统计
  • |
  • 参考文献
  • |
  • 相似文献
  • |
  • 引证文献
  • |
  • 资源附件
  • |
  • 文章评论
    摘要:

    根据能带电子输运理论,对光激发热电子的产生、弛豫、复合过程进行了分析,并利用蒙特卡罗方法对不同电场中热电子输运的漂移速度瞬变特性进行了模拟。在稳态条件下,光电导及其相应的光电特性主要决定于复合过程;而在强电场和高激发状态下,则主要决定于热电子的行为。实验选用横向型GaAs光电导开关,在一定的偏置电压条件下输出线性与非线性两种不同模式的电脉冲,实验结果与理论一致。

    Abstract:

    According to the electron transport theory of energy band, the process of generation, relaxation and recombination of photoexcited hot-electrons was analyzed, and the transient properties of drift velocity of the hot-electron in different electric fields were simulated by Monte Carlo method. The photoconductance and its corresponding photoelectric characteristics are mainly determined by the composite process under steady-state conditions, while determined by the behavior of hot-electrons under the state of strong electric field and high excitation. Transverse GaAs photoconductance switch was used in the experiment, the linear and nonlinear electrical pulses of two different modes were output under a certain bias voltage, and the experiment accords with the theory.

    参考文献
    相似文献
    引证文献
引用本文
分享
文章指标
  • 点击次数:
  • 下载次数:
  • HTML阅读次数:
  • 引用次数:
历史
  • 收稿日期:2019-08-05
  • 最后修改日期:
  • 录用日期:
  • 在线发布日期: 2019-12-13
  • 出版日期:
文章二维码

漂浮通知

①《半导体光电》新近入编《中文核心期刊要目总览》2023年版(即第10版),这是本刊自1992年以来连续第10次被《中文核心期刊要目总览》收录。
②目前,《半导体光电》已入编四个最新版高质量科技期刊分级目录,它们分别是中国电子学会《电子技术、通信技术领域高质量科技期刊分级目录》(T3)、中国图象图形学学会《图像图形领域高质量科技期刊分级目录》(T3)、中国电工技术学会《电气工程领域高质量科技期刊分级目录》(T3)和中国照明学会《照明领域高质量科技期刊分级目录》(T2)。
③关于用户登录弱密码必须强制调整的说明
④《半导体光电》微信公众号“半导体光电期刊”已开通,欢迎关注