铌酸锂低半波电压电光调制器研究
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Study on Low Half-wave Voltage Electro-optic Modulator Based on Lithium Niobate
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    对降低铌酸锂(LN)电光调制器的半波电压进行了研究, 探索了利用反射结构实现低半波电压的原理。通过退火质子交换工艺在x切LN晶片上制作了反射结构的LN电光调制器。测试表明, 这种反射结构的LN电光调制器在保持器件长度不变的条件下可以降低半波电压。

    Abstract:

    This paper focuses on lowering the half-wave voltage of lithium niobate (LN) electro-optic modulator. The principle of realizing the low half-wave voltage by the reflection structure is investigated. A reflection type electro-optic modulator is proposed and fabricated with x-cut LN crystal through the annealed proton-exchanged process. Preliminary results prove that the proposed reflection type LN electro-optic modulator can lower the half-wave voltage without increasing the length of device.

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  • 收稿日期:2016-09-19
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  • 在线发布日期: 2017-07-14
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