摘要:采用锗(Ge)浓缩技术对绝缘层上锗硅(SGOI)材料进行循环氧化、退火,制备出19nm厚的绝缘层上锗(GOI)材料。然后对该GOI材料在400℃下进行O3氧化,以进一步减薄GOI的厚度。采用高分辨透射电镜(HRTEM)、X射线反射(XRR)和原子力显微镜(AFM)等对样品形貌和结构进行表征。测试结果显示,O3氧化减薄后的GOI晶体质量得到提高,且表面更加平整(厚度减薄2.5nm,粗糙度RMS降低0.26nm)。通过循环的O3氧化减薄,可获得高质量的超薄(小于10nm)GOI材料,用于制备超薄高迁移率沟道GeMOSFET。
