基于相变存储器的SD卡系统设计
DOI:
CSTR:
作者:
作者单位:

作者简介:

通讯作者:

中图分类号:

基金项目:

中国科学院战略性先导科技专项项目(XDA09020402); 国家“973”计划项目(2013CBA01900, 2010CB934300, 2011CBA00607, 2011CB932804); 国家集成电路重大专项项目(2009ZX02023-003); 国家自然科学基金项目(61176122, 61106001, 61261160500, 61376006); 上海市科委项目(12nm0503701, 13DZ2295700, 12QA1403900, 13ZR1447200, 14ZR1447500)


Design of Secure Digital Memory Card System Based on Phase Change Memory
Author:
Affiliation:

Fund Project:

  • 摘要
  • |
  • 图/表
  • |
  • 访问统计
  • |
  • 参考文献
  • |
  • 相似文献
  • |
  • 引证文献
  • |
  • 资源附件
  • |
  • 文章评论
    摘要:

    基于中科院上海微系统研究所自主研发的相变存储器芯片, 设计并实现了国内首个以相变存储器为存储介质的SD卡系统。本系统由多接口SoC芯片、6.375Mbits相变存储器芯片以及外围控制电路等构成。系统通过SD/MMC接口与上位机进行数据通信, 并使用FAT文件系统进行管理。该SD卡系统容量为256kb, 读取速度为2Mb/s, 写入速度为0.5Mb/s。

    Abstract:

    A secure digital memory card (SD) system was designed based on phase change random access memory chip manufactured by Chinese Academy of Sciences. The SD system is mainly composed of multi-interface SoC chip, 6.375Mbits phase change memory chip and peripheral circuit, etc. Data is transferred through SD/MMC interface between the memory system and PC, and managed by FAT file system. The capacity of this SD card system is 256kb and the speed of reading and writing is 2Mb/s and 0.5Mb/s respectively.

    参考文献
    相似文献
    引证文献
引用本文
分享
文章指标
  • 点击次数:
  • 下载次数:
  • HTML阅读次数:
  • 引用次数:
历史
  • 收稿日期:2014-09-11
  • 最后修改日期:
  • 录用日期:
  • 在线发布日期: 2015-09-09
  • 出版日期:
文章二维码

漂浮通知

①《半导体光电》新近入编《中文核心期刊要目总览》2023年版(即第10版),这是本刊自1992年以来连续第10次被《中文核心期刊要目总览》收录。
②目前,《半导体光电》已入编四个最新版高质量科技期刊分级目录,它们分别是中国电子学会《电子技术、通信技术领域高质量科技期刊分级目录》(T3)、中国图象图形学学会《图像图形领域高质量科技期刊分级目录》(T3)、中国电工技术学会《电气工程领域高质量科技期刊分级目录》(T3)和中国照明学会《照明领域高质量科技期刊分级目录》(T2)。
③关于用户登录弱密码必须强制调整的说明
④《半导体光电》微信公众号“半导体光电期刊”已开通,欢迎关注