纳米压痕技术控制电迁移现象中铝原子积聚位置研究
DOI:
CSTR:
作者:
作者单位:

作者简介:

通讯作者:

中图分类号:

基金项目:

浙江省钱江人才资助项目(QJD1302007); 嘉兴学院重点科研项目(70112025BL, 70512008).


Control of Accumulation Positions of Al atoms in Electromigration by Nanoindentation
Author:
Affiliation:

Fund Project:

  • 摘要
  • |
  • 图/表
  • |
  • 访问统计
  • |
  • 参考文献
  • |
  • 相似文献
  • |
  • 引证文献
  • |
  • 资源附件
  • |
  • 文章评论
    摘要:

    在利用电迁移现象制备铝纳米线的过程中, 铝纳米线的生长位置取决于铝原子的积聚位置。为实现铝原子积聚位置控制, 基于纳米压痕技术改变试样中铝膜的横截面结构, 制备了铝膜试样。通过输入并调节直流电大小使铝膜内产生电迁移现象。试验结果表明, 纳米压痕技术可有效提高局部区域的电流密度, 显著增强铝原子的电迁移强度, 并在压痕区域出现铝原子积聚现象。

    Abstract:

    The positions of electromigration induced Al nanowires depend on the accumulation of Al atoms. Nanoindentation was used in Al films to control accumulation of atoms by changing the cross sectional structure of the samples. It is found that the current density is significantly increased in the area wherein nanoindentation test was used, resulting in electromigration increase in the Al films and accumulation of Al atoms.

    参考文献
    相似文献
    引证文献
引用本文
分享
文章指标
  • 点击次数:
  • 下载次数:
  • HTML阅读次数:
  • 引用次数:
历史
  • 收稿日期:2013-08-06
  • 最后修改日期:
  • 录用日期:
  • 在线发布日期: 2014-04-30
  • 出版日期:
文章二维码

漂浮通知

①《半导体光电》新近入编《中文核心期刊要目总览》2023年版(即第10版),这是本刊自1992年以来连续第10次被《中文核心期刊要目总览》收录。
②目前,《半导体光电》已入编四个最新版高质量科技期刊分级目录,它们分别是中国电子学会《电子技术、通信技术领域高质量科技期刊分级目录》(T3)、中国图象图形学学会《图像图形领域高质量科技期刊分级目录》(T3)、中国电工技术学会《电气工程领域高质量科技期刊分级目录》(T3)和中国照明学会《照明领域高质量科技期刊分级目录》(T2)。
③关于用户登录弱密码必须强制调整的说明
④《半导体光电》微信公众号“半导体光电期刊”已开通,欢迎关注