基于故障物理的MEMS可靠性研究
DOI:
CSTR:
作者:
作者单位:

作者简介:

通讯作者:

中图分类号:

基金项目:

中国工程物理研究院超精密加工技术重点实验室基金项目(2012CJMZZ00009); 重庆大学新型微纳器件与系统技术国防重点学科实验室访问学者基金项目(2013MS04); 西南科技大学制造过程测试技术省部共建教育部重点实验室开放课题(11ZXZK03); 西南科技大学研究生创新基金项目(13ycjj31, 13ycjj36).


Study on MEMS Reliability Based on Physics of Failure
Author:
Affiliation:

Fund Project:

  • 摘要
  • |
  • 图/表
  • |
  • 访问统计
  • |
  • 参考文献
  • |
  • 相似文献
  • |
  • 引证文献
  • |
  • 资源附件
  • |
  • 文章评论
    摘要:

    简要介绍了基于故障物理的MEMS(Micro-Electro-Mechanical Systems, 微电子机械系统)可靠性研究方法和技术路线。以电容式RF MEMS开关为例, 介绍了基于故障物理的MEMS可靠性研究方法的主要步骤, 包括: 采用多物理场3D有限元模型研究MEMS器件的行为, 应用MEMS器件的行为模型和失效物理试验技术研究其失效机理, 引入优值建立了通用的MEMS器件失效预测模型。

    Abstract:

    Briefly described are reliability research methods and roadmap of the PoF-based MEMS (Micro-electro-mechanical systems). Using the capacitive RF MEMS switch as an example, main steps of the method are described, including the flowing steps: to study the MEMS devicesbehaviors with the 3D multi-physics finite element models, to study the MEMS devices failure mechanism with its behavior model and the PoF experiment technology, and to establish a common MEMS device failure prediction model with some certain introduced figure of merit.

    参考文献
    相似文献
    引证文献
引用本文
分享
文章指标
  • 点击次数:
  • 下载次数:
  • HTML阅读次数:
  • 引用次数:
历史
  • 收稿日期:2013-08-14
  • 最后修改日期:
  • 录用日期:
  • 在线发布日期: 2014-04-30
  • 出版日期:
文章二维码

漂浮通知

①《半导体光电》新近入编《中文核心期刊要目总览》2023年版(即第10版),这是本刊自1992年以来连续第10次被《中文核心期刊要目总览》收录。
②目前,《半导体光电》已入编四个最新版高质量科技期刊分级目录,它们分别是中国电子学会《电子技术、通信技术领域高质量科技期刊分级目录》(T3)、中国图象图形学学会《图像图形领域高质量科技期刊分级目录》(T3)、中国电工技术学会《电气工程领域高质量科技期刊分级目录》(T3)和中国照明学会《照明领域高质量科技期刊分级目录》(T2)。
③关于用户登录弱密码必须强制调整的说明
④《半导体光电》微信公众号“半导体光电期刊”已开通,欢迎关注