基于电感并联峰化的宽带CMOS跨阻前置放大器
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CMOS Transimpedance Pre amplifier Based on Inductive Shunt Peaking Technique
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    摘要:

    提出了一种基于TSMC0.18μm CMOS工艺的低噪声、低功耗的10Gb/s光通信接收机跨阻前置放大器(TIA)的设计。该TIA电路采用具有低输入阻抗的RGC(regulated cascode)结构作为输入级。同时,采用电感并联峰化和容性退化技术扩展TIA电路的带宽。当光电二极管电容为250fF时,该电路的-3dB带宽为9.2GHz,跨阻增益为57.6dBΩ,平均等效输入噪声电流谱密度约为16.5pA/Hz(0~10GHz),电路的群时延为±20ps。在1.8V单电源供电时,功耗为26mV。

    Abstract:

    A design of low power and wideband transimpedance pre amplifer (TIA) was implemented in TSMC 0.18μm CMOS process for 10Gb/s high speed optical communications. The TIA circuit exploits the regulated cascade (RGC) configuration with low input resistance as the input stage, meanwhile the inductive shunt peaking and capacitive degeneration techniques were introduced to make bandwidth enhancement. Experimental results show that the proposed CMOS TIA circuit which accommodates a photodiode capacitor of 250fF, shows a -3dB bandwidth of 9.2GHz and transimpedance gain of 57.6dBΩ. The noise simulation shows the average input referred noise current spectral density is 16.5pA/Hz and the group delay is ±20ps. The power dissipation of the chip is 26mW under single 1.8V power supply.

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  • 收稿日期:2013-05-13
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  • 在线发布日期: 2014-01-03
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