ZnO∶Al替代ITO作透明导电膜的应用
DOI:
CSTR:
作者:
作者单位:

作者简介:

通讯作者:

中图分类号:

基金项目:


Applications of ZnO∶Al Substitute ITO for Transparent Conductive Layer
Author:
Affiliation:

Fund Project:

  • 摘要
  • |
  • 图/表
  • |
  • 访问统计
  • |
  • 参考文献
  • |
  • 相似文献
  • |
  • 引证文献
  • |
  • 资源附件
  • |
  • 文章评论
    摘要:

    研究了AZO(ZnO∶Al)替代ITO透明导电膜在GaN基LED中的应用,通过脉冲激光沉积和磁控溅射法制作了AZO薄膜,分析了AZO与p型GaN不良的欧姆接触的物理机理,并利用插入ITO薄层来改善接触电阻,实验用ITO 20nm/AZO 500 nm 的复合导电薄膜做透明导电薄膜,成功得到了波长为525.74nm、亮度为380.88 mcd、电压为335 V 的GaN基绿光LED芯片,相当于单一ITO透明导电膜的性能,整个试验工艺中减少了ITO的使用量,降低了LED芯片的制造成本。

    Abstract:

    The applications of ZnO∶Al substitute ITO for transparent conductive layer in GaN based LED were researched. AZO films were prepared by pulsed laser deposition and magnetron sputtering. Then the physical mechanism of poor ohmic contacts between AZO and p type GaN layer was analyzed, and the contact resistance was improved by inserting ITO layer simultaneously. For the experiments, ITO 20nm/AZO 500nm composite transparent conductive layer was prepared successfully, and the GaN based green LED was obtained with the brightness of 380.88mcd, wavelength of 525.74nm and voltage of 3.35V. The result is equivalent to the performance of a single ITO transparent conductive layer, and it reduces the usage of ITO and the process cost.

    参考文献
    相似文献
    引证文献
引用本文
分享
文章指标
  • 点击次数:
  • 下载次数:
  • HTML阅读次数:
  • 引用次数:
历史
  • 收稿日期:2012-12-24
  • 最后修改日期:
  • 录用日期:
  • 在线发布日期: 2013-07-22
  • 出版日期:
文章二维码

漂浮通知

①《半导体光电》新近入编《中文核心期刊要目总览》2023年版(即第10版),这是本刊自1992年以来连续第10次被《中文核心期刊要目总览》收录。
②目前,《半导体光电》已入编四个最新版高质量科技期刊分级目录,它们分别是中国电子学会《电子技术、通信技术领域高质量科技期刊分级目录》(T3)、中国图象图形学学会《图像图形领域高质量科技期刊分级目录》(T3)、中国电工技术学会《电气工程领域高质量科技期刊分级目录》(T3)和中国照明学会《照明领域高质量科技期刊分级目录》(T2)。
③关于用户登录弱密码必须强制调整的说明
④《半导体光电》微信公众号“半导体光电期刊”已开通,欢迎关注