Zn1?xMgxO用于 CIGS 太阳电池的研究进展
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国家自然科学基金项目(51042006);山东省科技攻关项目(2009GG10007009);国家基础科学人才培养基金项目 (J0730318)


Development of CIGS Solar Cells with Zn1?xMgxOFilms
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    摘要:

    Zn1?xMgxO透过率高,带隙可调,且与 CIGS 太阳电池在晶格和能带结构上匹配良好,可用作 CIGS 太阳电池缓冲层、窗口层,因此制备高质量的Zn1?xMgxO薄膜是提高太阳电池性能的关键。本文介绍 了Zn1?xMgxO薄膜的结构特性、光学特性及制备方法;从 Mg 含量、Zn1?xMgxO膜厚及Zn1?xMgxO/CIGS 界 面处缺陷密度等方面概述了Zn1?xMgxO用于 CIGS 太阳电池的研究进展,并比较了Zn1?xMgxO与In2S3,ZnS, CdS 等其他材料作缓冲层的 CIGS 太阳电池性能的差别。

    Abstract:

    With high transparency, adjustable band gap and good match with CIGS in lattice and energy band structure, Zn1-xMgxO is regarded as the suitable material for the buffer layer and window layer of CIGS solar cells, so the fabrication of high qualityZn1-xMgxO films becomes to be the key problem for improving the efficiency of CIGS solar cells. In this paper, the preparation methods and structural and optical characteristics of Zn1-xMgxOfilms are introduced; and also the effects of concentration of Mg, the film thickness and the defect density on solar cells are summarized. As well it is compared the performance of solar cells with Zn1-xMgxO buffer layer with those applying other buffer layer materials.

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  • 收稿日期:2013-01-05
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