薄p型层GaN基p-i-n型紫外探测器的反向漏电特性
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作者:
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清华大学电子工程系清华信息科学与技术国家实验室(筹)/集成光电子学国家重点实验室;

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中图分类号:

TN364.2

基金项目:

国家自然科学基金项目(60723002,50706022,60977022); 国家“973”计划项目(2006CB302800,2006CB921106); 国家“863”计划项目(2007AA05Z429,2008AA03A194); 北京市自然科学基金重点项目(4091001); 深圳市产学研和公共科技专项资助项目(08CXY-14)


Study on Leakage Current of Thin p-layer GaN p-i-n Ultraviolet Detector
Author:
Affiliation:

ZOU Xiang,WANG Lai,PEI Xiaojiang,ZHAO Wei,WANG Jiaxing,LUO Yi(Tsinghua National Laboratory for Information Science and Technology/State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics,Department of Electronic Engineering,Tsinghua University,Beijing 100084,CHN)

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    制备了薄p型层GaN基p-i-n型紫外探测器,并对其反向漏电特性进行了研究。探测器材料采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法在蓝宝石衬底上外延生长获得,p-GaN的厚度为30nm。基于该材料制作了具有共面电极的探测器器件,并采用SiO2对刻蚀侧壁进行了钝化。测试结果表明,结面积为1.825×10-4cm2的器件在-1V时的反向漏电流面密度为3.0×10-9 A/cm2,优质因子达到3.7×109Ω.cm2。

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