中国科学院半导体研究所材料科学中心,北京,100083
O472
国家自然科学基金
ZHAO Jie,LIU Chao,LI Yanbo,ZENG Yiping(Materials Science Center,Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,CHN)
Ⅱ-Ⅵ族镉(Cd)化物,如CdTe、CdSe、CdSeTe等具有直接带隙、光学吸收系数高和电学特性优异等突出特点,在太阳电池、X及γ射线探测器、红外焦平面阵列(FPA)等方面均得到了广泛应用.文章简要综述了近年来用分子束外延(MBE)工艺生长镉化物微结构材料的研究进展和器件应用动态,并对镉化物在光电子领域中的发展前景进行了展望.
