基于等效电路模型的半导体激光器直流偏置分析
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作者:
作者单位:

电子科技大学宽带光纤传输与通信网技术教育部重点实验室;

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通讯作者:

中图分类号:

TN248.4

基金项目:


DC Bias Analysis of Semiconductor Laser Based on Equivalent Circuit Model
Author:
Affiliation:

XIAO Yong,CHEN Fushen(Key Laboratory for Broadband Optical Fiber Transmission and Communication Networks of Ministry of Education,University of Electronic Science and Technology of China,Chengdu 611731,CHN)

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    摘要:

    从传统的激光器速率方程出发,同时考虑芯片封装寄生参量和本征区接触参量的影响,得出一种双异质结半导体激光器的新型等效电路模型,在此模型基础上用电路仿真软件PSpice分析了直流偏置对激光器弛豫振荡、小信号频率响应、大信号脉冲响应的影响。

    Abstract:

    From traditional rate equations,taking into account of the chip package parasitic parameters and the intrinsic area contacted parameters,a new equivalent circuit model of double hetero-junction semiconductor laser was proposed,and the effects of DC bias on the laser relaxation oscillation,small-signal frequency response and large-signal impulse response were analyzed with circuit simulation software PSpice.

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